По утверждениям разработчиков, представленный видеочип на сегодняшний день является самым мощным графическим процессором для ноутбуков. Поддерживаются программные интерфейсы OpenGL 2.0, Microsoft DirecX 9.0 (включая пиксельные и вершинные шейдеры версии 3.0), а также технологии Intellisample 3.0, UltraShadow II и PureVideo. Кроме того, в процессоре реализована система PowerMizer, обеспечивающая снижение энергопотребления и продлевающая время автономной работы портативного компьютера от аккумулятора.

Графический чип GeForce Go 6800 Ultra поддерживает шину PCI Express x16, память GDDR3 (245-битная шина) и 64-битную шейдерную точность в широком динамическом диапазоне. Видеокарты на базе процессора смогут обеспечивать разрешение изображения до 2048 х 1536 пикселей при частоте развертки 85 Гц. Максимальная скорость заполнения составляет 5,4 миллиарда пикселей в секунду, тактовая частота RAMDAC - 400 МГц. Производитель гарантирует совместимость с операционными системами Microsoft Windows 98/МЕ/2000/ХР, Apple Mac OS и Linux.

Видеокарты на основе процессора nVidia GeForce Go 6800 Ultra будут устанавливаться преимущественно в мультимедийные игровые ноутбуки и портативные рабочие станции. О выпуске лэптопа Inspiron XPS Gen 2 с новым графическим чипом уже объявила компания Dell. Более подробно с техническими характеристиками процессора GeForce Go 6800 Ultra можно ознакомиться на этой странице.

Как сообщается в пресс-релизе, чип объемом 512 Мбайт обеспечивает возможность передачи информации со скоростью 1066 Мбит/с, что вдвое превышает аналогичный показатель для микросхем DDR2. При разработке прототипа использовалась 80-нанометровая технология. При этом рабочее напряжения чипа DDR3 DRAM составляет всего 1,5 В, что обеспечивает более низкое энергопотребление по сравнению с применяющейся в настоящее время памятью DRAM.

Ожидается, что в продажу микросхемы памяти DDR3 DRAM поступят в начале 2006 года. А к 2009 году, согласно прогнозам аналитиков IDC, на такие чипы будут приходиться порядка 65 процентов мирового рынка DRAM-памяти. Модули DDR3 DRAM планируется использовать в ноутбуках, настольных компьютерах и серверах.

Нужно отметить, что не так давно компания Samsung начала массовый выпуск сверхбыстродействующей оперативной памяти XDR DRAM (eXtreme Data Rate) с пропускной способностью до 8 Гбит/с. Модули XDR DRAM ориентированы, прежде всего, на мощные мультимедийные компьютеры, игровые приставки, цифровые телевизоры, серверы и рабочие станции.

Размах мощного PR-аппарата Intel кажется просто невероятным: лидирующий производитель памяти, корейская компания Samsung Electronics, сообщает, что к третьему кварталу 2005 года продажи DDR2 превысят продажи DDR. Компания Micron также собирается сровнять продажи DDR/DDR2, а Infineon собираются увеличить производство DDR2 на 20% уже в этом квартале. Nanya Technology собираются выделить половину своих мощностей под производство DDR2 уже к концу второго квартала.

Таким образом, производители памяти вооружились и вовсю готовятся к свержению DDR1 с "трона" продаж.

Однако, остальные крупные производители памяти (Hynix, Elpida) пока еще не обнародовали свои роадмапы на производство в 2005. Это несколько странно, так как планы ведущих компаний обычно совпадают, когда разговор заходит о мэйнстрим-секторе. Возможно, компании еще просто не подготовили пресс-релиз, а возможно, они не согласны с мнением остальных.

В общем, какими бы ни были причины, они не сильно повлияют на общую картину — DDR2 расчищает себе дорогу к компьютерам конечных пользователей.

Что представляет из себя память DDR2? Она использует упаковку типа FBGA для увеличения стабильности, термальной эффективности, улучшения масштабируемости и способности к разгону. Также имеют место некоторые архитектурные изменения (Off-Chip Driver calibration (OCD), On-Die Termination (ODT)).

Основным преимуществом DDR2 над предыдущим стандартом является его возможность работать на очень высоких частотах. На данный момент, они еще не достигли максимума и составляют всего 500 МГц (планируется увеличение в будущем). Однако, расплатой за преимущества являются высокие задержки. Они сводят на нет все преимущества в скорости нынешней DDR2 над DDR1. Тем более, цены оставляют желать лучшего.

С увеличением производства и внедрением стандарта DDR667 все "против" самоликвидируются и DDR1 умрет как стандарт, но произойдет это не ранее середины 2006 года.

Как сообщает The Korea Herald, микросхемы XDR DRAM обеспечивают пропускную способность до 8 Гбит/с, что в десять раз больше пропускной способности традиционной памяти DDR 400 и в пять раз больше пропускной способности так и не получившей массового распространения памяти Rambus (RDRAM). Кстати, при разработке XDR DRAM инженеры Samsung применяли именно технологии Rambus.

В настоящее время Samsung наладила массовое производство 256-мегабитных микросхем XDR DRAM. Ожидается, что до конца второго квартала нынешнего года появятся 512-мегабитные чипы с пропускной способностью до 12,8 Гбит/с. Модули XDR DRAM ориентированы, прежде всего, на мощные мультимедийные компьютеры, игровые пристави, цифровые телевизоры, серверы и рабочие станции.

Кроме того, к воротам производителей гаджетов скоро начнут прибывать грузы с 1" дисками Microdrive емкостью 10 Гб, что позволит производителям всякой разной "подручной" электроники делать свои устройства еще более миниатюрными, используя при этом жесткие диски, а не флэш-память.

Массовое применение DSL найдет в процессорах компаний, построенных по технологической норме 90 нм, в начале следующего года.

Intel, кстати, тоже не отстает от своих конкурентов. Компания объявляет, что ее собственные разработки в этой области позволяют даже несколько опередить конкурентов и добиться прироста производительности в 30%. Более подробно познакомить общественность со своими наработками в этом деле обе стороны обещают на мероприятии International Electron Devices Meeting, которое состоится на этой неделе.