NTT Corp. (Nippon Telegraph and Telephone) объявила, что ей удалось увеличить время хранения бита информации в фотонном кристалле до 150 нс. В связи с использованием технологии InGaAsP в фотонных кристаллах время хранения возросло в 60 раз по сравнению предыдущим рекордом в 2,5 нс для кристаллов, использующих кремний.
Максимальное значение добротности у последнего образца составляет 130 000 единиц. Минимальное значение отклонения силы света было снижено до 40 мВт. Это составляет несколько десятых от достигнутого оптической памятью на полупроводниковых лазерах. Фотонный кристалл имеет периодическую наноструктуру. В последнем прототипе дырки диаметром 200 нм расположены в узлах треугольной решетки с периодом 420 нм в полупроводниковом кристалле толщиной 200 нм. Прямолинейный участок без дырок в одном из рядов играет роль волновода. Области смещенных дырок по обе стороны волновода являются резонатором. Резонатор занимает объем в 0,1 мм3. Для процесса перезаписи используется феномен оптической бистабильности, названный оптической нелинейностью, изменения параметров преломления света.
К настоящему времени NTT подтвердила свойство оптической бистабильности в фотонных кристаллах, основанных на кремнии. Но, как было сообщено, они непригодны для использования в качестве оптической памяти из-за времени удержания в 2,5 нс. В сравнении с кремнием, материал InGaAsP имеет более сложный технологический процесс, но обладает большей оптической нелинейностью.
Компания надеется в будущем удлинить время удержания путем совершенствования структуры резонатора и параметров материала для того, чтобы применить эти технологии в различных схемах, в том числе в коммутаторах и памяти. Необходимо также развивать технологии интеграции памяти и адресации к битовой строке, говорят в NTT.
NTT планирует представить разработку на конференции CLEO (Conference on Lasers and Electro-Optics), открывающейся в первых числах мая в Сан-Хосе, США.
Источник: 3dnews.ru
